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SiGe, High-Linearity, 2300MHz to 4000MHz
Downconversion Mixer with LO Buffer
Typical Operating Characteristics (continued)
( Typical Application Circuit with tuning elements outlined in Table 1, V CC = 5.0V, f RF = 3100MHz to 3900MHz, LO is low-side injected
for a 300MHz IF, P RF = -5dBm, P LO = 0dBm, T C = +25 N C, unless otherwise noted.)
-10
-20
LO LEAKAGE AT IF PORT
vs. LO FREQUENCY
T C = +85°C
-10
-20
LO LEAKAGE AT IF PORT
vs. LO FREQUENCY
-10
-20
LO LEAKAGE AT IF PORT
vs. LO FREQUENCY
-30
T C = +25°C
-30
P LO = -3dBm, 0dBm, +3dBm
-30
V CC = 4.75V, 5.0V, 5.25V
T C = -40°C
-40
-40
-40
2700
2900
3100
3300
3500
3700
2700
2900
3100
3300
3500
3700
2700
2900
3100
3300
3500
3700
50
40
30
LO FREQUENCY (MHz)
RF-TO-IF ISOLATION
vs. RF FREQUENCY
T C = +85°C
50
40
30
LO FREQUENCY (MHz)
RF-TO-IF ISOLATION
vs. RF FREQUENCY
50
40
30
LO FREQUENCY (MHz)
RF-TO-IF ISOLATION
vs. RF FREQUENCY
20
T C = +25°C
T C = -40°C
20
P LO = -3dBm, 0dBm, +3dBm
20
V CC = 4.75V, 5.0V, 5.25V
10
10
10
3000
3200
3400
3600
3800
4000
3000
3200
3400
3600
3800
4000
3000
3200
3400
3600
3800
4000
-20
RF FREQUENCY (MHz)
LO LEAKAGE AT RF PORT
vs. LO FREQUENCY
-20
RF FREQUENCY (MHz)
LO LEAKAGE AT RF PORT
vs. LO FREQUENCY
-20
RF FREQUENCY (MHz)
LO LEAKAGE AT RF PORT
vs. LO FREQUENCY
-25
T C = -40°C
-25
-25
-30
T C = +85°C
-30
P LO = -3dBm, 0dBm, +3dBm
-30
V CC = 4.75V, 5.0V, 5.25V
T C = +25°C
-35
-40
-35
-40
-35
-40
2500
3000
3500
4000
2500
3000
3500
4000
2500
3000
3500
4000
LO FREQUENCY (MHz)
LO FREQUENCY (MHz)
LO FREQUENCY (MHz)
10
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